什么是快恢复二极管？
一、快恢复二极管简称FRD（反向恢复时间很短的二极管），也是一种高速开关二极管，这种二极管的开关特性好，反向恢复时间很短，正向压降低，反向击穿电压较高（耐压值较高），主要应用于开关电源、脉宽调制电路PWM以及变频等电子电路中。
二、肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降仅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流电流却克达到几千安。而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
三、肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右，肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，超高速！电特性当然都是二极管。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
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快恢复二极管是什么？
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。结构特点：快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。结构组成：二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。以上内容参考：百度百科-二极管
