13005三极管的详细参数?
13005是NPN型高反压开关三极管。MJE13005详细参数有:集电极-基极最高反向耐压VCBO:700V集电极-发射极最高反向耐压VCEO:400V发射极-基极最高反向耐压VEBO:9V集电极最大允许电流ICM:5A集电极最大耗散功率PCM:75W最高工作结温TJM:150℃贮存温度TSTG:-65~150℃集电极-基极截止电流ICBO:100μA (VCB=700V)其他主要电气参数:直流电流增益(Vce=5V,Ic=1000mA),10(最小值)~40(典型值),集电结饱和压降(IC=2000mA,IB=500 mA)0.6V。扩展资料:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里。NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。参考资料:百度百科—三极管
三极管(13001)用什么常见的型号可以代替
1300系列的所有三极管都可以代替13001,还有就是普通的BU406等等都行,只要参数满足的都可以,比如Vceo=500V的管子,集电极电流在500mA的NPN管子都行。【摘要】
三极管(13001)用什么常见的型号可以代替【提问】
1300系列的所有三极管都可以代替13001,还有就是普通的BU406等等都行,只要参数满足的都可以,比如Vceo=500V的管子,集电极电流在500mA的NPN管子都行。【回答】
MJE13001是硅NPN型小功率高压高速开关三极管,其主要参数如下:C-B极最高耐压:Vcbo=500VC-E极最高耐压:Vceo=400VE-B极最高耐压:Vebo=9V集电极电流:Ic=0.3A耗散功率:PC=7W直流放大系数:HFE=8~40典型应用:荧光灯镇流器封装形式:TO-92【回答】
三极管替换要看被替换的三极管的作用和产品参数。当电路使用三极管时,并不是利用三极管所有的参数,而是只利用其中部分参数,所以替换原则第1就是看功用。例如用于高频小信号放大的三极管,主要看三极管的使用频率,其次看放大倍数;如果是用做低频大功率放大,主要就看三极管的功率、Uce、(耐压)Ice(最大电流),其次看三极管的频率。总之,不同用途的三极管代换原则是不一样的。【回答】
13007d三极管管脚图
13007d三极管管脚图如下:三极管的1是基极、2是集电极、3是发射极。扩展资料:三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.
13007管脚图参数
正视。从左向右 B,C,E:三极管的B是基极、C是集电极、E是发射极。三极管13007的参数:集电极-基极最高耐压VCBO=500V 集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W扩展资料:三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称。可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor 参考资料:百度百科三极管
13003的管脚和参数
1003三极管参数数据:MJE13003三极管是一种高背压大功率开关三极管,主要用于节能灯和荧光灯的电子镇流器。它属于硅NPN型,采用TO-126,MJE13003封装。b细胞增多三极管的形状和引脚排列如下: MJE13003三极管主要参数集电极-基极电压VCBO700v集电极-发射极电压VCEO400v发射极-基极电压VEBO9v集电极电流IC2.0A集电极功耗PC40w最大工作温度Tj150°C存储温度Tstg-65-150°C集电极-基极截止电流ICBO(VCB=700伏)100微安集电极-发射极截止电流ICEO(VCE=400V,IB=0)250uA集电极-发射极电压VCEO(IC=10mA,IB=0)400v
13007d三极管管脚图
13007d三极管管脚图如下:三极管的1是基极、2是集电极、3是发射极。扩展资料:三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.
E13007是什么三极管。
E13007是常用的大功率开关三极管。耐压值是400V。面对型号,从左到右引脚排列分别是基极、集电极、发射极。电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。扩展资料:晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative)。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。参考资料来源:百度百科-三极管
三极管E13007—2和E13007有什么区别吗?
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 三极管E13007—2和E13007基本一样,只是序列号不同。E13007系列用于高压电子镇流器之类的电路中。
48V逆变器用的是什么管?
BU406 EC电压200V 电流40A 搞两个并联,要加散热片。
逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220V,50Hz正弦波)。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱,录像机、按摩器、风扇、照明等。在国外因汽车的普及率较高外出工作或外出旅游即可用逆变器连接蓄电池带动电器及各种工具工作。通过点烟器输出的车载逆变是 20W 、 40W 、 80W 、 120W 到 150W 功率规格。再大一些功率逆变电源要通过连接线接到电瓶上。把家用电器连接到电源转换器的输出端就能在汽车内使用各种电器。可使用的电器有:手机、笔记本电脑、数码摄像机、照像机、照明灯、电动剃须刀、CD 机、游戏机、掌上电脑、电动工具、车载冰箱及各种旅游、野营、医疗急救电器等。
三极管BU406参数:
电压, Vceo:200V
截止频率 ft, 典型值:10MHz
功耗, Pd:60mW
集电极直流电流:7A
直流电流增益 hFE:30
功耗:60W
封装类型:TO-220
引脚节距:2.5mm
总功率, Ptot:60W
最大连续电流, Ic:7A
最小增益带宽 ft:10MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:400V
电压, Vces:400V
电流, Ic @ Vce饱和:5A
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:7A
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
三极管J13009和J13009-2有没有区别?
唯一的一个区别就是电流放大倍数(hFE)不同。J13009的电流放大倍数为 : 8 ~ 17;J13009-2 的电流放大倍数为: 15 ~ 28。字母J代表阶跃恢复管,13009代表封装规格。扩展资料:三极管产品参数:1、特征频率当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.2、电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。3、hFE电流放大倍数。4、VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。5、PCM最大允许耗散功率。6、封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。参考资料来源:百度百科-三极管
三极管j13007-2可以代替D13009K吗
不可以,它的电流比13009小,耗散功率也比13009小。
三极管的结构和类型
三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图
从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图
对于小功率金属封装三极管,按图示
底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。